Члену-корреспонденту РАН Б.Н. Гощицкому - 80

    2 февраля отмечает 80-летний юбилей Борис Николаевич Гощицкий — известный в нашей стране и за рубежом физик-экспериментатор, работающий в области радиационной физики твердого тела и нейтронных исследований вещества.

    После окончания физико-технического факультета Уральского политехнического института в 1955 году Борис Николаевич работал в отраслевом НИИ Минсредмаша СССР, занимался изучением процессов разделения изотопов урана газодиффузионным методом. По результатам этих исследований защитил кандидатскую диссертацию (1961).

    В 1965 году Б.Н. Гощицкий был избран по конкурсу на должность старшего научного сотрудника ИФМ АН СССР, где и работает по настоящее время. С 1971 года — заведующий лабораторией радиационной физики и нейтронной спектроскопии, с 1990 по 2005 — заведующий отделом работ на атомном реакторе, в настоящее время — научный руководитель этого отдела, главный научный сотрудник, советник РАН. В 1981 году Борис Николаевич защитил докторскую диссертацию, в 1988 ему присвоено ученое звание профессора. В 2000 году избран членом-корреспондентом РАН. На счету Бориса Николаевича — около 300 научных трудов, в том числе две широко известные монографии.

    Б.Н. Гощицкий создал новое научное направление по изучению фундаментальных физических свойств упорядоченных кристаллов методами радиационного разупорядочения, созданию в этих кристаллах устойчивых во времени термодинамически неравновесных структурных состояний с необычными физическими свойствами, недостижимыми традиционными приемами. Им обнаружено новое физическое явление — универсальная зависимость температуры фазового перехода второго рода от концентрации новой разупорядоченной фазы; предложен и внедрен в практику научных исследований уникальный физически «чистый» метод изучения электронных состояний в кристаллах — радиационное разупорядочение без изменения стехиометрического состава, и макрооднородности образцов. Это обеспечило приоритет отечественной науки в названной области знаний.
 

В работах Б.Н. Гощицкого определены основные причины радиационного изменения физических свойств важных для новой специальной техники функциональных и конструкционных материалов, выявлены специфические особенности радиационно-индуцированного аморфного состояния в металлах и сплавах и показана принципиальная возможность прогнозирования их поведения под воздействием быстрых нейтронов. Результаты этих исследований используются в новых разработках.
 

Высокий научный потенциал Бориса Николаевича, его незаурядные научно-организаторские способности особенно ярко проявились во время становления в СССР работ по высокотемпературной сверхпроводимости. Под его руководством в чрезвычайно короткие сроки после появления первых зарубежных сообщений в результате творческого содружества молодых ученых институтов УрО АН СССР были синтезированы одни из первых в стране новые сверхпроводники и начаты всесторонние исследования их фундаментальных физических свойств в ряде институтов страны. Особое внимание было обращено на развитие исследований радиационных эффектов в ВТСП, и уже на первых международных совещаниях и конференциях докладывались работы наших ученых по этой тематике. Б.Н. Гощицким совместно с сотрудниками впервые обнаружены в высокотемпературных сверхпроводниках экспоненциальная зависимость электросопротивления от концентрации радиационных дефектов атомного масштаба и исчезновение сверхпроводимости в орторомбической фазе в присутствии таких дефектов. Пионерские исследования проблемы высокотемпературной сверхпроводимости методом радиационного разупорядочения, выполненные Б.Н. Гощицким, выявили характерные особенности новых материалов, имеющие принципиальное значение для построения теории ВТСП. Эти работы широко известны, пользуются признанием научной общественности и стимулируют постановку исследований во многих отечественных и зарубежных научных центрах. В 2002 году за цикл работ в этой области «Эффекты сильного разупорядочения в высокотемпературных сверхпроводниках — теория и эксперимент» президиум Российской академии наук присудил Б.Н. Гощицкому и М.В. Садовскому премию им. А.Г. Столетова.
 

Б.Н.Гощицкий уделяет много внимания воспитанию научных кадров. Под его руководством подготовлены и защищены 15 кандидатских и 4 докторских диссертации, он член двух диссертационных советов по защите докторских диссертаций. Будучи председателем научного совета РАН «Радиационная физика твердого тела», Б.Н. Гощицкий активно внедряет методы радиационной физики в практику прикладных и научных исследований, оказывает практическую помощь научным коллективам, деятельность которых координируется советом. Он успешно развивает международное сотрудничество с известными западными научными центрами, придавая особое значение развитию совместных исследований в области радиационной физики, радиационного материаловедения, сверхпроводимости и магнетизма.
 

Борис Николаевич Гощицкий — один из создателей исследовательского атомного центра на Урале. Под его руководством на атомном реакторе ИВВ-2М создан и успешно функционирует Нейтронный материаловедческий центр — комплекс отвечающих современному уровню экспериментальных устройств и методик.
 

За плодотворную научную деятельность, большой вклад в развитие радиационной физики твердого тела и подготовку научных кадров высшей квалификации в 1992 году Б.Н. Гощицкому было присвоено почетное звание «Заслуженный деятель науки Российской Федерации».
 

От всей души поздравляем Бориса Николаевича с юбилеем, желаем здоровья и новых творческих достижений!
 

Президиум УрО РАН
Коллектив Института физики металлов УрО РАН
Редакция газеты
«Наука Урала»