ЧЛЕНУ-КОРРЕСПОНДЕНТУ В.В. ОСИПОВУ — 80

2 ноября отметил юбилей заведующий лабораторией квантовой электроники Института электрофизики УрО РАН, заслуженный деятель науки РФ, член-корреспондент РАН, профессор Владимир Васильевич Осипов. 

Выпускник Томского политехнического института, В.В. Осипов окончил аспирантуру Института ядерной физики ТПИ, с 1972 г. работал в Институте оптики атмосферы Сибирского отделения АН СССР, в 1977–1986 гг. — в Институте сильноточной электроники СО АН СССР, с 1986 г. – в Институте электрофизики УрО РАН. В 1993–2001 гг. заведовал кафедрой физической электроники Уральского государственного технического университета (ныне УрФУ).

В.В. Осипов — специалист в области физики газового разряда, квантовой электроники и физики взаимодействия излучения с веществом, автор более 430 научных работ, в том числе 5 монографий, более 30 авторских свидетельств и патентов. Он предложил и экспериментально обосновал критерии и модель импульсного самостоятельного объемного разряда высокого давления, выяснил механизм, доказал наличие химико-ионизационной неустойчивости и разработал численную модель прорастания канала в объемных разрядах высокого давления. На основе фундаментальных исследований созданы мощные CO₂ лазеры и усилители с активной средой высокого давления и перестраиваемой частотой излучения, параметры которых до сих пор остаются непревзойденными, разработана их математическая модель.

Владимир Васильевич предложил и экспериментально обосновал ряд методов, позволяющих в несколько раз повысить энергетику молекулярных лазеров, разработал технологию лазерного синтеза слабоагломерированных нанопорошков с размером частиц 10–15 нм и узким распределением по размерам.

В лаборатории квантовой электроники, руководимой членом-корреспондентом В.В. Осиповым, активно развивается новое научное направление по изучению и идентификации конденсированных сред при их катодолюминесценции под действием наносекундных электронных пучков.

Под руководством В.В. Осипова разработана технология и синтезированы образцы лазерных керамик, позволивших совместно с коллегами из Института лазерной физики СО РАН, Института прикладной физики РАН и из Национального института оптики (Италия) в образцах оптической керамики иттрий-алюминиевого граната, активированного ионами неодима и иттребия генерацию с дифференциальной эффективностью до 52,7 %.

Впервые синтезированы высокопрозрачные керамики с разупорядоченной кристаллической структурой на основе соединений оксидов иттрия и скандия, активированных эрбием. Эти соединения были получены с помощью твердофазного вакуумного спекания наноразмерных частиц на основе смешанных сесквиоксидов, полученных методом лазерной абляции. При накачке такой керамики титан-сапфировым лазером с длиной волны 981,1 нм реализована непрерывная эффективная генерация излучения в области 2,7 мкм.

В последние годы под руководством В.В. Осипова проводятся пионерские работы по разработке широко-перестраиваемого керамического лазера. На основе созданной лазерной керамики, активированной тулием, реализован один из самых широких диапазонов плавной перестройки длины волны лазерного излучения (181 нм) — от 1 927,5 нм до 2 108,5 нм.

Под его руководством исследовано также воздействие излучения волоконного иттербиевого лазера с длиной волны 1,07 мкм на прессованные микропорошки из прозрачных оксидов и фторидов, имеющих низкие показатели поглощения. Установлено, что рассеяние излучения в среде из частиц микронного размера 0,5–4,5 мкм приводит к его концентрации в локальных участках среды до уровня интенсивности, многократно превосходящей интенсивность падающего излучения. Это актуально для совершенствования технологий лазерной резки, получения нанопорошков и аддитивной печати.

Владимир Васильевич Осипов — член редколлегии журнала «Фотоника», член оргкомитетов двух международных конференций. В лаборатории квантовой электроники ИЭФ УрО РАН он подготовил 10 кандидатов и доктора наук.

В.В. Осипов награжден двумя бронзовыми медалями ВДНХ, Почетной грамотой РАН и Профсоюза работников РАН (1999), удостоен Государственной стипендии для выдающихся ученых России (2001), премии МАИК за лучшую публикацию 2009 г. по физике и математике, звания «Заслуженный деятель науки Российской Федерации» (2010), Благодарности полномочного представителя Президента Российской Федерации в Уральском федеральном округе (2013).

Сердечно поздравляем Владимира Васильевича с юбилеем! Желаем новых научных достижений, благополучия и здоровья!