"Наука Урала"

19 июля президиум РАН принял постановление «О присуждении медалей Российской академии наук с премиями для молодых ученых и для обучающихся по образовательным программам высшего образования по итогам конкурса 2021 года». Высокие награды получили и уральцы.

 Не думаю, что это следует понимать столь категорично. А как же Петр Первый и Ломоносов с их европейскими «университетами»? Не будем же мы поворачиваться спиной к наследию шведа Карла Линнея и немца Александра фон Гумбольдта. С позиций Русского географического общества заслуги норвежцев Фритьофа Нансена и Тура Хейердала навечно связаны с Россией. Правильнее сказать не «разворот на Восток», а осознание себя Россией как самобытной уникальной цивилизацией, или, по Н.Я. Данилевскому — культурно-историческим типом цивилизаций. В философских трудах этого русского ученого, которые в настоящее время часто цитирует Президент России В.В. Путин и многие политики, особенно в канун его 200-летнего юбилея, отчетливо сформулирована мысль о том, что наша страна – не Европа и не Азия (не Запад и не Восток), и даже не Евразия, а именно Россия как самостоятельная культурно-историческая цивилизация.

Один из главных партнеров ИВЭ — Институт высокотемпературной электрохимии УрО РАН, лидирующий в области электрохимического материаловедения, электрохимической энергетики и в исследованиях твердооксидных систем для топливных элементов и высокотемпературных электролизеров. Научно-технический совет ИВЭ, куда входят представители организаций-партнеров (институтов РАН, НИИ НПО «Луч», НПО «Центротех», Чепецкого механического завода, Курчатовского института, Росэнергоатома, металлургических и химических предприятий), возглавил научный руководитель ИВТЭ УрО РАН, профессор, доктор химических наук Юрий Зайков.

— Водородное направление альтернативной энергетики открывает новые перспективы для развития мировой экономики, поскольку водород благодаря своим энергетическим и экологическим характеристикам, а также практически неиссякаемому запасу служит идеальной заменой любому энергоносителю, — отметил Юрий Павлович. — Для подготовки высококвалифицированных специалистов в этой области на Среднем Урале есть все необходимое — мощный научно-образовательный потенциал, сильные материаловедческая и электрохимическая научные школы.

Как отмечает заведующий лабораторией полупроводников и полуметаллов ИФМ УрО РАН доктор физико-математических наук Михаил Викторович Якунин, взаимодействие с новосибирскими коллегами позволило провести эффективные исследования по целому ряду направлений: «У них есть высокие технологии, а у нас — свои идеи и оборудование для измерений. Ранее мы принимали участие в изучении производимых в Институте физики полупроводников структур, сделали много совместных публикаций. На основе этого опыта образовался крупный научный проект».

Заместитель директора по научной работе, заведующий лабораторией молекулярно-лучевой эпитаксии соединений А₂В₆ ИФП СО РАН доктор физико-математических наук Максим Витальевич Якушев рассказывает: «С учетом результатов физико-химических исследований мы разработали отечественное оборудование для выращивания тонких полупроводниковых пленок теллурида кадмия и ртути (КРТ). Кроме того, была создана технология, позволяющая изготавливать структуры в соответствии со специальным электронным дизайном». КРТ отсутствует в природе и произвести его — непростая задача, необходимо точно соблюдать баланс элементов, а также следить за толщиной и последовательностью разных слоев. Для этого используется перспективный метод молекулярно-лучевой эпитаксии: в сверхвысоком вакууме (гораздо более чистом, чем в космосе) на специальную подложку из кадмий-цинк-теллура, арсенида галлия, кремния или германия падают молекулярные потоки кадмия, ртути и теллура. В результате происходит образование кристаллического слоя КРТ с требуемыми характеристиками, которые контролируются посредством разработанного в ИФП СО РАН метода эллипсометрического мониторинга. «Активное испарение ртути мешает поддержанию вакуума — эту проблему нам тоже удалось решить, — подчеркивает Максим Витальевич. — Однако даже сложной эпитаксиальной технологии недостаточно для производства качественных пленок теллурида кадмия и ртути. Исследователи рассматривали механизмы образования дефектов в этих объектах и таким образом смогли добиться значительного снижения их количества».