Новости

2 ноября отметил юбилей заведующий лабораторией квантовой электроники Института электрофизики УрО РАН, заслуженный деятель науки РФ, член-корреспондент РАН, профессор Владимир Васильевич Осипов. 

Выпускник Томского политехнического института, В.В. Осипов окончил аспирантуру Института ядерной физики ТПИ, с 1972 г. работал в Институте оптики атмосферы Сибирского отделения АН СССР, в 1977–1986 гг. — в Институте сильноточной электроники СО АН СССР, с 1986 г. – в Институте электрофизики УрО РАН. В 1993–2001 гг. заведовал кафедрой физической электроники Уральского государственного технического университета (ныне УрФУ).

В.В. Осипов — специалист в области физики газового разряда, квантовой электроники и физики взаимодействия излучения с веществом, автор более 430 научных работ, в том числе 5 монографий, более 30 авторских свидетельств и патентов. Он предложил и экспериментально обосновал критерии и модель импульсного самостоятельного объемного разряда высокого давления, выяснил механизм, доказал наличие химико-ионизационной неустойчивости и разработал численную модель прорастания канала в объемных разрядах высокого давления. На основе фундаментальных исследований созданы мощные CO₂ лазеры и усилители с активной средой высокого давления и перестраиваемой частотой излучения, параметры которых до сих пор остаются непревзойденными, разработана их математическая модель.

Владимир Васильевич предложил и экспериментально обосновал ряд методов, позволяющих в несколько раз повысить энергетику молекулярных лазеров, разработал технологию лазерного синтеза слабоагломерированных нанопорошков с размером частиц 10–15 нм и узким распределением по размерам.

В лаборатории квантовой электроники, руководимой членом-корреспондентом В.В. Осиповым, активно развивается новое научное направление по изучению и идентификации конденсированных сред при их катодолюминесценции под действием наносекундных электронных пучков.