25 февраля отметил юбилей главный научный сотрудник Института электрофизики УрО РАН, научный руководитель отдела теоретической физики Института физики металлов УрО РАН академик М.В. Садовский.
Вся жизнь Михаила Виссарионовича тесно связана с Российской академией наук. После окончания в 1971 г. Уральского государственного университета он стал аспирантом теоретического отдела Физического института АН СССР им. П.Н. Лебедева, где его научным руководителем был Л.В. Келдыш, и это на многие годы определило направление его исследований. В 1974–1987 гг. М.В. Садовский был научным сотрудником Института физики металлов УНЦ АН СССР, в 1987 г. перешел в созданный Г.А. Месяцем Институт электрофизики УрО РАН, где организовал лабораторию теоретической физики, которой руководил 30 лет. В трудное для российской науки время, в 1993–2002 гг. он работал заместителем директора Института электрофизики. В 1991–2010 гг. был профессором кафедры теоретической физики УрГУ.
М.В. Садовский — автор более 170 научных работ, включая пять монографий и ряд фундаментальных обзоров. Основные направления его научной деятельности — электронная теория неупорядоченных систем и теория сверхпроводимости. Он предложил ряд точно решаемых моделей одномерных систем электронов, в том числе оригинальную модель псевдощелевого состояния во флуктуационной области пайерлсовского перехода с образованием волн зарядовой плотности с ближним порядком, демонстрирующую нефермижидкостное поведение. В дальнейшем эти работы приобрели большое значение в связи с проблемой описания псевдощели в высокотемпературных сверхпроводниках.
М.В. Садовский внес существенный вклад в теорию локализации электронов в неупорядоченных системах. Он одним из первых применил в этой задаче соображения, основанные на идее скэйлинга, и инстантонный подход.
Михаил Виссарионович совместно с Л.Н. Булаевским впервые дал обобщение теории «грязных» сверхпроводников на случай систем с очень малыми длинами свободного пробега, находящихся вблизи локализационного перехода металл-диэлектрик. Также впервые была продемонстрирована важность флуктуаций локальной плотности состояния вблизи перехода сверхпроводник — изолятор, ведущих к сильно неоднородному состоянию сверхпроводников в окрестности этого перехода.